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第228章 晶圆突破3英寸（第1页）

在何雨柱的絮叨下，时间到了午夜。

把500响鞭炮放了，扛起何雨柱送回了后院。

年后，去给许教授拜完年，这个年算是过完。

接下来的日子，他也懒得溜达，大部分时间待在家里。

这个阶段，他为了缩小COMS的体积，使用了各种方法。最后不得不考虑采用CVD技术。

就是所谓的气相沉积技术，目前可实现的主要方法就是使用热反应炉。

这些在技能书里也有应用。

但只是提了几句，里面重点讲解低压、激光、微波CVD技术。

这些技术的底层技术还没有发展起来，不具备可实现性。

倒是低压CVD技术未来几年可以考虑。

这在制备高质量、低缺陷的薄膜制备技术上运用较多。

目前普通的热反应炉也够用了，为了提高纯度，可以考虑氢气炉。

想到这些，他不得不低下头，设计这些基础设备。

这就像是技术套娃，从最低级的技术开始，慢慢往上叠，直到做到极致。

直到开学，李元一直在修改他的氢气反应炉。

新学期开始，李元先去找到许教授，在他的安排下，找到了班主任老师岑松岭老师。

他插班到导6班，全班加上他42人。

李元的到来，引起的全班同学的欢迎。

这可是整个学校典型学生代表。

不说他艺术家的名头，就他那非人的学习能力，就让同学们嫉妒不起来。

所以，作为插班生，李元没有遇到什么融入的困境。

大家都愿意帮助他，尤其是班长任民同学，把前三个学期的书本和笔记都借给了他。

有了这些资料，李元边学习新学期的课程，边自学之前的课程。

只用三个月，这些全都学习完成。

同时，他每天都会抽出时间到半导体实验室学习。

带着光环和许教授的亲自指点，他很快便融入了实验室。

实验室名义领头人是许教授，实质上，主抓管理的是他的学生龚黎明。

龚师兄35岁，精力充沛，1英寸单晶硅就是他负责拉制的。

现在主要有两个方向，一个是晶圆制备，另一个就是制备晶体管。

说实话，他们现在的方法是粗放式的，在一片晶圆上，直接进行金属物沉积。

就是在硅片两侧对中地烧制上两个含金球，形成两个PN结，组成的晶体管。

也就是现在大家熟知的三极管。

李元选择加入了单晶硅的制备组，组长是一位女中豪杰，28岁的黄燕。

单晶硅组总共有5人，现在变成了6人。

除了组长，都是大老爷们，非常符合工科院系的特点。

里面最高科技的东西就是定制的单晶炉，为直拉式单晶炉，是当前世界上主流的制备设备。

唯一可惜的就是干锅面积太小，晶液也少，提拉手柄全靠操作员的手感。

稍不注意，就可能会拉断。

而且采用的不是旋转拉法，而是最为原始的直接上提法。

所以晶圆柱直径一直无法取得突破，整体粗细不均。

晶圆的直径大小，直接影响着半导体生产的成本、产能和良品率。

越是靠近晶圆的边缘，良品率越差，这是大家的共识。

但他现在只是一个插班生，虽然技能里有相应的提升工艺。

但是他现在还没有资格提出改进意见。

他现在主要的工作就是疯狂的学习。

要从理论上让实验室的老师、同学认可，到那个时候，他的提议才有可能被采纳。

他每天埋头苦学，在实验室帮忙打下手。

时间来到了6月份。

此时，李元动手能力得到了实验室集体的认可。

目前他已经可以在黄燕的指导下，提拉单晶硅。